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陸加速啟動半導體國產化
台灣亞太產業分析專業協進會 理事 劉佩真 
台灣經濟研究院研究員暨產業顧問

雖然2020年上半年新冠肺炎疫情來勢洶洶,肆虐大陸及全球,也影響對岸分離式元件製造業景氣的表現,不過在歷經2020年上半年疫情衝擊中國半導體相關行業營運之後,預計中央財政支援下的積極舉措及金融系統的舉措,無疑會對中國經濟成長率在疫情結束後產生激勵的作用,同時原本延遲的終端應用市場需求將會恢復,並且出現補償式的增長,而中國本產業中長期的發展仍會恢復正軌。 

         即隨著工業控制、家電及新能源行業市場的逐步回暖,尤其是新能源汽車市場的快速發展與智能駕駛技術的應用,絕緣柵雙極電晶體(IGBT)在此領域的市場規模可望逐步成長,代表IGBT的產品性能卓越,已成為中高階功率半導體發展的主流,更何況IGBT國產化將成為中國關鍵分離式元件的發展重點之一。 

         另外值得一提的是,目前功率器件主要以矽(Si)基材料為主,包括絕緣層上覆矽(SOI)高壓積體電路,隨著第3代半導體的發展,相較於氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁等第3代半導體材料的研究尚屬起步階段,反觀以碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的半導體材料開始成為功率半導體的新興材料,特別是2020年2月13日小米發布GaN充電器、2月14日VIVO realme也宣布將在X50上全系搭載GaN充電器,顯然GaN晶片已經完成從高階功率器件到消費電子的轉換,主要係因GaN在電源管理、發電和功率輸出方面具有明顯的技術優勢,該材料未來的發展潛力值得期待。 

         事實上,中國市場中也出現出一批掌握IGBT核心技術的境內本土企業,例如達斯半導、士蘭微、台基股份、聞泰科技、揚傑科技、華微電子、振華科技等,顯然未來中國IGBT國產化進程在肺炎疫情過後恐加速啟動,而陸系企業從二極體、三極管往MOFET、IGBT不斷實現產品升級,而能否打破市場由絕大多數被國外廠商壟斷,包括Infineon、STM、ON Semi、Mitsubishi、Fuji Electric、Fairchild、Semikron、Renesas等的局面,此競爭態勢的改變值得台灣廠商高度關注。 

         而對於台系業者而言,雖然2020年上半年本產業面臨來自於肺炎疫情的干擾,不過國內半導體分立器件製造業者為中長期發展的布局仍持續展開,如為因應未來的電動車及混合能源車市場規模逐步擴大,已經有多家國際IDM大廠開始著手研發IGBT、GaN產品線,朋程則是代表廠商,公司正在桃園廠興建新廠房,預計2021年第一季全面落成,屆時將主攻新能源市場;另外其他國內業者亦積極布局新產品領域,包括推出TVS保護元件、節能元件及車用整流元件、MOSFET整流產品等,期望藉由擴大產品的供應面,來使公司營運可穩步向上。

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